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1. su8光刻胶湿膜与干膜厚度比
2. su8光刻胶密度
3. 我国拿下哪一项“制芯”关键技术?

1、su8光刻胶湿膜与干膜厚度比

指的是干膜，漆膜完全干的厚度，湿膜厚度一般是漆膜干膜厚度的2倍。四类厚度依据厚度的不同干膜可以分为四类：0.8mil、2mil、5mil、0mil。

湿膜测厚仪一般有两种：湿膜厚度轮规和湿膜厚度梳规。采用湿膜厚度测厚仪的优点在于可以在涂覆过程中检查和改正不适当的涂膜厚度。如果涂覆者知道了湿膜厚度，当以此数据乘以涂料固体份的体积百分率，就可估算出干膜厚度。

湿膜厚度=干膜厚度/体积固体份=150/80%=185=190微米 或者（英制） 6/80%= 5密尔。

知道相应的湿膜厚度，就可以再施工中用湿膜仪来控制其干膜厚度。 实际施工中，经常在涂料中加入一定量的稀释剂。稀释剂的使用增加了体积总数，但并不增加体积固体分。

但是对于较薄的膜厚，尤其是15μm以下的厚度干膜是不容易做到的。

2、su8光刻胶密度

根据查询X技术官网信息显示，su-8光刻胶的介电常数是2，损耗角正切为0.042。光刻胶是一种在半导体制造过程中广泛使用的光化学高分子材料，具有优异的光学、化学、机械性能，被用于制造集成电路和微电子器件。

不能。根据查询微流芯片官网显示，SU-8胶是种负性、环氧树脂型、近紫外线光刻胶，只能再近紫外光（365nm-400nm）范围内吸收，所以405nm不能光刻su-8。

su8光刻胶湿膜与干膜厚度比如下：SU8光刻胶：是一种常用的基于环氧树脂的负性光刻胶。

你好，这是我上次查到的一些资料，希望能帮到你。

3、我国拿下哪一项“制芯”关键技术?

“PM5，是大家很熟悉的微小颗粒物，直径小于或等于5微米。但我们研制这种制造芯片的关键材料，在过程中如果进入了哪怕PM0的粉尘，这个材料就是废品，就不能被应用到芯片当中。

第一项技术：离子注入机 和光刻机一样，离子注入机也是芯片制造过程中必不可少的核心设备之一。通过离子注入机可以实现对半导体材料，集成电路的离子注入，从而完成对半导体金属材料的改性及制膜等等。

光刻机是芯片制造的关键设备，我国投入研发的公司有微电子装备（集团）股份，长春光机所，中国科学院等都在研发，合肥芯硕半导体有限公司，先腾光电科技有限公司，先腾光电科技有限公司， 合肥芯硕半导体有限公司都有研发以及制造。

最后，Versatile-GP300具备高刚性、高精度和工艺开发灵活等优势，主要技术指标达到了国际先进水平。同时填补了国内芯片装备行业在超精密减薄技术领域的空白。

包括后续对钌、石墨烯制成物进行封装等试验过程，全都在一定程度上证实了石墨烯将可能成为未来延续摩尔定律的最佳材料。

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